led灯珠芯片特点与光敏二极管PD与PT的区别

一、MB芯片

定义：METAL BONDING（金属粘着）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。

特点: 1.采用高散热系数的材料---SI 作为衬底、散热容易。

2.通过金属层来接合（WAFER BONDING）磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

3.导电的SI衬底取代GAAS衬底，具备良好的热传导能力（导热系数相差3-4倍），更适应于高驱动电流领域。

4.底部金属反射层、有利于光度的提升及散热

5.尺寸可加大、应用于HIGH POWER领域、ER：42MIL MB

二、GB芯片

定义：GLUE BONDING（粘着结合）芯片；该芯片属于UEC的专利产品

特点：1.透明的蓝宝石衬底取代吸光的GAAS衬底、其出光功率是传统AS（ABSORBABLE STRUCTURE）芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似        TS芯片的GAP衬底。

2.芯片四面发光、具有出色的PATTERN

3.亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准（8.6mil）

4.双电极结构、其耐高温电流方面要稍差与TS单电极芯片

三、TS芯片

定义:transparent structure（透明衬底）芯片、该芯片属于HP的专利产品。

特点: 1.芯片工艺制作复杂、远高于AS LED

2.信赖性卓越

3.透明的GAP衬底、不吸收光、亮度高

四、AS芯片

定义：ABSORBABLE STRUCTURE（吸收衬底）芯片

特点: 1.四元芯片、采用MOVFE工艺制备、亮度项对于常规芯片要亮

2.信赖性优良

光敏三极管和普通三极管的结构相类似。不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏二极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通二极管

PD (Photodiode)称为光敏二极管

光敏二极管，实际上就是一个光敏电阻，它对光的变化非常敏感。光敏二极管的管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。

结构不一样：光敏二极管是有一个PN结构成，光敏三极管有三极管的特性，一般也是NPN及PNP组成，市面最常见的是NPN型的

输出电流由区别：光敏三极管有放大的功能，而光敏二极管没有

响应时间的区别：光敏二极管因只有个结点，所以响应时间要比光敏三极管要快得多。

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